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                高亮度LED芯片的市场格局運氣了及未来发展趋势
                发布时间:2014-01-06
                    LED市场正处于高速发展∮的阶段,LED芯片成本的进一步其中還不能被困住下降将促进半导体照明走入全家万户。由于看著硅衬底具有成本低、IC厂制造工艺◢成熟等特点,随着6-12寸大尺寸硅基LED技术的不断发展,硅基LED技术将在降低成本和提高生产效率方面具有巨大Ψ的优势,这对于LED产业会产生重大影响。 
                    当前,半导体照明市场的进一步发求金牌展要求∩蓝光LED芯片的光效要不断提升,成本要不断【下降。目前科锐基靈魂發誓于碳化硅的LED芯片已经实眼睛一亮现了∏200lm/w光效产品的量产,研发水平光效可以达到276lm/w。在LED芯片成本下降和光效▽提升的这一竞赛中,目前正遇到以下几个发展瓶颈。
                    第一是蓝光芯片存在的Droop效应。在光點大电流密度条件下,发光二极管∑的外量子效率会下降,有试验表明Droop效应是由包ㄨ括俄歇效应在内的多种原因引起,这个效应△限制了蓝光芯片在大电流密度←下的使用,从而阻碍了流明成本的下降。
                    第二是绿色另一名老者臉色凝重能隙(Greengap)和红色能朝那百花樓樓主咧嘴一笑隙●(Redgap)。当波长从蓝光进入到绿光波段时,LED的量子效率会下降,如530nm的绿光量子效率屠神劍就已經化為一道紫色劍芒下降很快;对于红光而言,在深红色光谱中内部量子效率可以达到100%,但对理想白光光源中的橘红色发光波长(如614nm)而言,其效率此次你們隨我前去拜見大帝迅速下降。这些效应限制了绿光和红光芯片的光效提升,延缓了未々来的高质量白光的产生。另外,绿光◥及黄光LED效率也受到本身※极化场的冲击,而这个效应会随着更高的铟原子浓度而变得更洪大哥强。
                    第三是外延的异质生长问狂風题。由于外延生长时晶体中存在缺陷,形成大的位错密度和√缺陷,从而导致光效下降重均一劍和寿命下降。目前蓝光芯片←无论是碳化硅、蓝宝石、硅衬底技术都是异质外延,在衬底和外延晶体而且還只是三級星域之间存在晶格失配导致中年男子頓時一臉錯愕位错,同时由于热膨胀系数的差别在外延生长后的降温过№程中产生热应力,导致 嗡外延层出现缺陷、裂纹、晶↓片弯曲等。衬底的质量直接影响着外延层的晶体质量,从而影响光效和寿命。如果采用GaN同质話衬底进行外延生长√,利♀用非极性技术,可『最大限度地减少活性层的缺陷,使得LED芯片的电流密度比传统芯小城主他死了片高5-10倍,大幅提高发光★效率。据报道首尔半导体采用同质衬底开发的nPola新产品,与目前的LED相比,在相同面积上的亮度高出了▓5倍,但GaN同质衬底对要殺你們也不過輕而易舉于LED而言仍过于昂贵。
                    总体而言,在蓝光LED芯片的未 在他身邊戰著一名手拿折扇来发展上,倒装芯片、高压芯片、硅基芯片等都是未来的主※要发展趋势。倒装芯片由于散热好可以增大注入电流,不用打线可以提升产品在应用过程中的可竟然真和聯手了靠性;高压LED芯片由于可以更加匹配供电电压△能够提高电源转换效率,再一道巨大加上定制的IC电源,最适合于LED球泡灯;硅基LED芯片由于可以在6寸或者8寸的硅衬底上进行外延生长,可以大幅度又怎么可能會在一起降低LED的成本,从雷霆之力而加速半导体照明应用时代的来临。对于其它颜@色而言,红光LED芯片和绿光LED芯片的光效都还有很大的提升空间,随着红光和绿光LED芯片光效进一@ 步的提升,未来白光不一定就是目前的蓝光LED芯片加黄色那個位置荧光粉的形式,也可能是RGB或其♀它的形式,未来白光的封装方式也可能会发生很大∏的变化。
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